PRAM – замена флэшкам

Исследователи Калифорнийского университета в Беркли и Национальной Лаборатории им. Лоуренса в Беркли утверждают, что они владеют нано-структурированной разработкой, которая позволяет сделать PRAM (оперативно-запоминающее устройство) фазового кодирования первым кандидатом на замену флэш-памяти.

Путем хранения битов в качестве фазового кодирования в полимере – от аморфного до кристаллического – PRAM сможет достичь терабитной плотности на чипах, которые смогут «паковать» сотни полнометражных фильмов и целые библиотеки книг на наших мобильных устройствах.

PRAM намерен заменить флэш-память

Поскольку флэш-память становится сжатой, а дефекты атомной шкалы дают сбои, тестируются многие различные подходы, направленные на то, чтобы заменить действующую технологию – от сегнетоэлектрического RAM (или FRAM – оперативно-запоминающего устройства, которое использует электрическую поляризацию для увеличения его похожих на динамическую память однобитовых элементов) до магнитного RAM (MRAM – устройства, которое хранит информацию в магнитных однобитовых элементах).

Наиболее многообещающей альтернативой для будущих терабитных чипов, однако, является RAM фазового кодирования (PRAM). PRAM хранит биты в аморфном или кристаллическом состоянии его полимерного битового элемента. Сегодня новая формулировка, изобретенная учеными из Калифорнийского университета в Беркли и Национальной Лаборатории им. Лоуренса в Беркли, ставит перед собой задачу дать возможность PRAM перенять эстафету от устройств флэш-памяти и выиграть гонку за успех.

Новая формулировка PRAM носит название наноструктуры двойного эвтектического сплава (BEAN). BEAN дает возможность сделать плотность PRAM намного больше, чем это позволяют возможности флэш-памяти, одновременно позволяя улучшить воспроизведение при помощи более быстрой записи и малого потребления мощности, согласно Калифорнийскому университету в Беркли и Национальной Лаборатории им. Лоуренса в Беркли.